近日，中国科大国家示范性天博注册程林教授课题组设计的一款高效率、高电流密度的降压-升压直流-直流转换器(Buck-Boost DC-DC Converter)芯片亮相于集成电路设计领域最高级别会议 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC)。ISSCC是国际上最尖端芯片设计技术发表之地，其在学术界和产业界受到极大关注，也被称为 “芯片奥林匹克”。ISSCC 2023于今年2月19日至23日在美国旧金山举行。Buck-Boost转换器广泛应用...
近日，天博注册龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展，分别采用氧气氛围退火和N离子注入技术，首次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。相关研究成果分别以“Enhancement-mode β-Ga2O3 U-shaped gate trench vertical MOSFET realized by oxygen annealing”和“702.3 A·cm-2/10.4 mΩ·cm2 Vertical β-Ga2O3 U-Shape Trench Gate MOSFET with N-Ion Implantati...
